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电子元器件详细资料 » IC[28645] » SI1023X-T1-GE3
型号:SI1023X-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:SOT-563,SOT-666描述:MOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-6

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-6
系列-
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C370mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222450mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs1.5nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大250mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装SC-89-6
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市春东电子有限公司朱先生/王小姐0755-82563615/82563213
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳市宏世佳电子科技有限公司高小姐/李先生086-0755- 82556029/82532511
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SI1023X-T1-GE3相关型号

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